kuplaptopa.pl Dell-PartnerDirect

Samsung MZ-75E500B/EU

Dysk SSD Samsung 850 EVO 500GB 540/520MBs SATA/600 2,5` 5Y DTD
  • MZ-75E500B/EU
Na stanie - dostawa w 24h
cena 745, 00 PLN 605,69 PLN netto
  • Opis produktu

    Co to jest technologia V-NAND 3D i czym się różni od obecnego rozwiązania?

    Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

    Optymalizacja obliczeń dzięki technologii TurboWrite

    Uzyskaj najwyższą wydajność odczytu / zapisu z myślą o przyspieszeniu codziennych obliczeń dzięki technologii TurboWrite firmy Samsung. Użytkownik zyskuje nie tylko o ponad 10% lepsze walory użytkowe w porównaniu z modelem 840 EVO*, ale także do 1,9 raza większe prędkości zapisu losowego w przypadku modeli 120 / 250 GB**. Model 850EVO gwarantuje najwyższą w swojej klasie wydajność w zakresie prędkości sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu (520 MB/s). Użytkownik uzyskuje także wzrost wydajności procesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezależnie od zastosowania.

    *PCmark7 (250 GB ): 6 700 (840 EVO) 7 600 (850 EVO)
    **Zapis losowy (QD32,120 GB): 36 000 operacji/s (840 EVO) 88 000 operacji/s (850 EVO))

    Osiągaj jeszcze większe prędkości z ulepszonym trybem RAPID

    Oprogramowanie Magician firmy Samsung oferuje dostęp do trybu Rapid, który zapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych* na poziomie systemu poprzez użycie niewykorzystanej pamięci komputera PC (DRAM) jako pamięci podręcznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanie Magician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pamięci w trybie Rapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu 850 EVO z układami DRAM o pojemności 16 GB. Użytkownik może także liczyć na dwukrotny wzrost wydajności* niezależnie od głębokości kolejki odczytu/zapisu losowego.

    *PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 15 000 (tryb Rapid)

    Gwarantowana trwałość i niezawodność uzupełniona technologią V-NAND 3D

    Model 850 EVO zapewnia gwarantowany poziom trwałości i niezawodności poprzez podwojenie wskaźnika TBW* w stosunku do modelu poprzedniej generacji, tj. 840 EVO**, w ramach najdłuższej na rynku, bo pięcioletniej gwarancji. Minimalny poziom spadku wydajności oznacza, że model 850 EVO zapewnia zachowanie parametrów użytkowych o 30% wyższych w porównaniu z modelem 840 EVO, stając się jednym z najbardziej niezawodnych modeli urządzeń pamięci masowej***.

    *TBW: Total Bytes Written (bajty zapisane ogółem)
    **TBW: 43 (840 EVO) 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
    ***Zachowane parametry użytkowe (250 GB): 3 300 operacji/s (840 EVO) 6 500 operacji/s (850 EVO); wydajność mierzona po 12-godzinnym teście zapisu losowego.

    Niższe zużycie energii przez technologię V-NAND 3D to źródło wydłużenia czasu trwania operacji obliczeniowych

    Model 850 EVO zapewnia znacząco dłuższy czas działania akumulatora w notebooku z kontrolerem zoptymalizowanym pod kątem technologii V-NAND 3D, oferując obecnie zużycie energii w stanie uśpienia na poziomie 2 mW. Model 850 EVO jest teraz o 25% bardziej energooszczędny w porównaniu z modelem 840 EVO podczas wykonywania operacji zapisu*, co zawdzięcza temu, że technologia V-NAND 3D zużywa jedynie połowę energii potrzebnej do zasilania architektury dwuwymiarowej NAND.

    *Pobór mocy (250 GB): 3,2 W (840 EVO) 2,4 W (850 EVO)

    Zabezpiecz cenne dane

    Model 850 EVO oferuje ochronę danych za pośrednictwem najnowszego sprzętowego mechanizmu pełnego szyfrowania dysku. 256-bitowa technologia szyfrowania danych AES umożliwia zabezpieczenie danych bez uszczerbku dla wydajności w zgodzie ze normą TCG Opal 2.0. Jest także zgodna z normą Microsoft eDrive IEEE1667, co daje pewność większego bezpieczeństwa danych.

    Pełna ochrona przed przegrzaniem

    Technologia Dynamic Thermal Guard w modelu 850 EVO pozwala na ciągłe monitorowanie i utrzymywanie stałej temperatury pracy napędu z myślą o integralności danych. Gdy temperatura wzrasta powyżej optymalnego poziomu, technologia zapewnia automatyczne jej obniżenie, chroniąc dane i zapewniając pełną funkcjonalność zabezpieczonego przed przegrzaniem komputera.

    Sięgnij po więcej, wybierając model 850 EVO

    Oprogramowanie One-stop Install Navigator w trzech prostych krokach przeprowadza użytkownika przez proces migracji wszystkich danych i aplikacji z dotychczasowego nośnika pamięci masowej na model 850 EVO. Oprogramowanie Magician firmy Samsung pozwala także na optymalizację systemu i zarządzanie nim pod kątem nośnika SSD.

    Zintegrowane rozwiązanie zbudowane z najwyższej jakości podzespołów

    Samsung to jedyny producent w branży nośników SSD, który samodzielnie opracowuje i wytwarza wszystkie podzespoły, co przekłada się na ich lepszą integrację. Prowadzi to do wzrostu wydajności, zmniejszenia zużycia energii przez pamięć podręczną na bazie układów LPDDR2 DRAM o pojemności do 1 GB, a także do zwiększenia wydajności energetycznej kontrolera MEX / MGX.
     

    Funkcje ogólne:

    Zastosowanie: Klient (PC)

    Pojemność: 500 GB (1 GB = 1 miliard bajtów wg IDEMA) * Rzeczywista pojemność dysku może być mniejsza (z powodu formatowania, partycji, systemu operacyjnego, aplikacji itd.)

    Form Factor: Rozmiar obudowy: 2,5 cala

    Interfejs: Interfejs SATA 6 Gb/s, a także kompatybilny z interfejsami SATA 3 Gb/s oraz SATA 1,5 Gb/s

    Wymiary (SxWxG): Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 (mm)

    Waga: Waga maks. 45 g

    Pamięć zapisu: Pamięć 32-warstwowa V-NAND 3D Samsung

    Sterownik: Kontroler Samsung MGX

    Pamieć podręczna: Pamięć Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM

    Funkcje dodatkowe

    Obsługa TRIM: Obsługa TRIM

    S.M.A.R.T Support: Obsługa S.M.A.R.T

    Odśmiecanie: Algorytm automatycznego odśmiecania pamięci

    Szyfrowanie: 256-bitowe szyfrowanie w standardzie AES (klasa 0), TCG / Opal, IEEE1667 (szyfrowany napęd)

    Obsługa WWN: Obsługa WWN

    Tryb uśpienia: Tak

    Wydajność:

    Odczyt sekwencyjny: Odczyt sekwencyjny do 540 MB/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Zapis sekwencyjny: Zapis sekwencyjny do 520 MB/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Odczyt losowy (4KB, QD32): Odczyt losowy do 98 000 operacji/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Zapis losowy (4KB, QD32): Zapis losowy do 90 000 operacji/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Odczyt losowy (4KB, QD1): Odczyt losowy do 10 000 operacji/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Zapis losowy (4KB, QD1): Zapis losowy do 40 000 operacji/s * Parametry mogą różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Środowisko

    Średni pobór mocy (poziom systemu): * Średni: 3 W *Maksymalny: 3,5 W (tryb seryjny) * Rzeczywisty pobór mocy może różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Pobór mocy (spoczynek): Maks. 50 mW * Rzeczywisty pobór mocy może różnić się w zależności od sprzętu i konfiguracji

    Dopuszczalne napięcie: Dozwolone napięcie: 5 V ± 5%

    Średni czas bezawaryjnej pracy: Niezawodność (MTBF): 1,5 mln godzin

    Temperatura pracy: Temperatura podczas pracy: 0 - 70 °C

    Odporność na wstrząsy: 1 500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)


    Data dodania produktu do sklepu: czwartek, 29 październik 2015.